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BiCS FLASH™ - | TLC e QLC
A tecnologia de memória flash 3D expansível BiCS FLASH™ da KIOXIA aumenta a capacidade de memória para o nível mais alto já alcançado
O BiCS FLASH™ (3D) da KIOXIA é uma estrutura de células de memória flash vertical tridimensional (3D). Essa estrutura permite superar a capacidade da memória flash 2D (planar). KIOXIA TLC de 3 bits por célula de 1Tb (128 GB*1) BiCS FLASH™ da KIOXIA- um*2,- aumenta a confiabilidade da durabilidade de gravação/exclusão enquanto aumenta as velocidades de gravação. A empresa também oferece um dispositivoBiCS FLASH™ de 2 Tb que possui tecnologia de 4 bits por célula, células de nível quádruplo (QLC). É o primeiro dispositivo de memória flash 3D a fazer isso.*3
Principais características da tecnologia de memória flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™
- Maior densidade de armazenamento por matriz do que a memória flash convencional
- Maior desempenho de velocidade de leitura/gravação
- Maior confiabilidade do que o NAND 2D (mais plano)
- Baixo consumo de energia
Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)
BiCS FLASH™ da KIOXIA oferece 3 bits por célula de 1 terabit (Gb), célula de nível triplo (TLC) e tecnologia QLC de maior densidade, permitindo maior capacidade de matriz. A KIOXIA alcançou a maior capacidade* setor de 4 por matriz de 2 terabit (Tb), e uma arquitetura empilhada de 16 matrizes pode obter uma capacidade incomparável de 4 terabyte (TB) em um único pacote.
Principais recursos
- Opções de embalagem densa
- Alta capacidade de memória de chip único (até 4 TB)
- Equação custo/desempenho favorável
Principais aplicações
- Armazenamento empresarial
- Armazenamento de data center
- Computação do cliente
- Móvel
- Automotivo
- Consumidor
- Industrial
Liderando o caminho para uma maior densidade e eficiência de memória
A KIOXIA foi a primeira empresa do setor a visualizar e se preparar para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e agora de TLC para QLC.
A tecnologia QLC da KIOXIA é ideal para aplicações que exigem soluções de armazenamento de alta densidade e baixo custo. O QLC de hoje reduz a área ocupada com a mais alta densidade disponível em um único pacote.
- A densidade do produto é identificada com base na densidade do(s) chip(s) de memória no produto, não na quantidade de capacidade de memória disponível para armazenamento de dados pelo usuário final. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido a áreas de dados gerais, formatação, blocos defeituosos e outras restrições, e também pode variar com base no dispositivo host e no aplicativo. Para mais detalhes, consulte as especificações aplicáveis do produto. A definição de 1 Gb = 230 bits = 1.073.741.824 bits. A definição de 1 GB = 230 bytes = 1.073.741.824 bytes.
- 12 de junho de 2007, comunicado à imprensa
- 28 de junho de 2017, comunicado à imprensa
- 3 de julho de 2024, comunicado à imprensa
KIOXIA 35° aniversário da invenção do NAND Flash
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Saiba mais e Avalie
Understanding 3D Flash Memory Part 1: Layers & Leadership
Understanding 3D Flash Memory Part 2: Layers vs Cost/Performance
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here
KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
