Memória Flash 3D “BiCS FLASH™”

A KIOXIA oferece produtos baseados em flash para aplicações de armazenamento de última geração. Tendo inventado a memória flash NAND há mais de 35 anos, a KIOXIA é agora um dos maiores fornecedores de memória flash do mundo, e continua a avançar a tecnologia.

A tecnologia KIOXIA está abrindo caminho para o armazenamento de alta capacidade

A memória flash KIOXIA 3D "BiCS FLASH™" é uma inovação revolucionária que atende às necessidades de aplicativos centrados em dados, como smartphones avançados, PCs, SSDs e data centers. Para atender às demandas por alto desempenho, alta densidade e eficiência de custos, otimizamos uma variedade de tecnologias avançadas. Isso inclui a tecnologia CBA (CMOS diretamente ligada à matriz) no processo de front-end e a tecnologia de montagem no processo de back-end.

Tecnologia CBA no processo de front-end

Com a tecnologia CBA, cada wafer CMOS e wafer de matriz de células é fabricado separadamente em sua condição otimizada e, em seguida, unido para fornecer densidade de bits aprimorada e velocidade de E/S NAND rápida. A fabricação da célula e do periférico separadamente permite a otimização de cada um, eliminando a troca entre a confiabilidade da célula e a velocidade de E/S — e oferecendo um grande salto em eficiência energética, desempenho, densidade, economia e sustentabilidade.*1

Entrevista

Memória flash 3D de alta densidade usando ligação de wafer de alta precisão agrega novo valor ao armazenamento

Nos últimos anos, os fabricantes de memória flash se concentraram principalmente no desenvolvimento de tecnologias para aumentar o número de camadas de células de memória e aumentar a densidade da memória. Cada vez que uma nova geração de memória flash é lançada, o número de camadas aumenta com alguns produtos ostentando mais de 200 camadas. No entanto, como explicou Atsushi Inoue, vice-presidente da divisão de memórias da KIOXIA, "aumentar as camadas de células de memória é apenas uma maneira de aumentar a capacidade e a densidade da memória, e não estamos exclusivamente preocupados com o número de camadas".

Tecnologia de montagem no processo de back-end

A KIOXIA desenvolveu uma memória flash de 8TB de alta capacidade montando 32 matrizes de memória flash, cada uma com uma capacidade de 2Tb, em um único pacote. Essa solução de memória foi possível graças aos nossos processos avançados de back-end, incluindo afinamento de pastilhas, design de materiais e tecnologias de ligação de fios.

Aprimoramentos BiCS FLASH™ (em relação à geração anterior) Aprimoramentos BiCS FLASH™ (em relação à geração anterior)

Avanço nas tecnologias de memória flash

A geração 8 do BiCS FLASH™ da KIOXIA aumenta efetivamente a densidade de GB ao encontrar o equilíbrio ideal entre a contração vertical e a contração lateral, alcançando excelente eficiência de CAPEX.

Tecnologias BiCS FLASH™

A estrutura de célula de memória flash vertical BiCS FLASH™ (3D) permite que ela ultrapasse a capacidade da memória flash 2D (planar) convencional.

Principais recursos*

Alta densidade de armazenamento por matriz do que a memória flash convencional

Desempenho de alta velocidade de leitura/gravação

Maior confiabilidade do que o NAND 2D (mais plano)

Baixo consumo de energia

* Em comparação com a tecnologia planar 2D

Aplicativos de destino

Aplicações-alvo BiCS FLASH™ Aplicações-alvo BiCS FLASH™

Eficiência do data center

A memória flash 3D BiCS FLASH™ foi projetada para resolver os problemas mais desafiadores do data center:

Dencity por slot de rack, eficiência energética, IOPS/QoS

Princípio da operação da memória flash 3D

O princípio da operação da memória flash 3D é explicado com a animação CG (gerada por computador), contrastando com a forma como o sol brilha (em japonês com legendas em inglês).

A tecnologia de memória flash 3D expansível BiCS FLASH™ da KIOXIA aumenta a capacidade de memória para o nível mais alto já alcançado

Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)

A linha de produtos de memória 3D flash da BiCS FLASH™ (TLC) inclui tecnologia de 3 bits por célula e 4 bits por célula (QLC). A tecnologia QLC expande significativamente a capacidade, aumentando a contagem de bits para dados por célula de memória de três para quatro. Uma capacidade de 4 terabytes (TB) pode ser alcançada em um único pacote usando a tecnologia BiCS FLASH™ QLC em uma arquitetura empilhada de 16 matrizes.

Densidade e embalagem

Liderando o caminho para uma maior densidade e eficiência de memória

A KIOXIA foi uma das primeiras empresas do setor a imaginar e se preparar para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e agora de TLC para QLC.

A tecnologia KIOXIA QLC é ideal para aplicações que exigem soluções de armazenamento de alta densidade e baixo custo. O QLC de hoje reduz a área ocupada com a mais alta densidade disponível em um único pacote, permitindo que a solução de armazenamento seja dimensionada.

KIOXIA 35° aniversário da invenção do NAND Flash

  1. Recursos e melhorias típicas de desempenho de uso em comparação com a geração anterior da memória flash BiCS FLASH™ e 3D TLC.
  2. Fonte: KIOXIA - Comunicado à imprensa de 3 de julho de 2024

Products by Applications

Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.

Saiba mais e Avalie

Understanding 3D Flash Memory - Part 1: Layers & Leadership

Understanding 3D Flash Memory - Part 2: Layers vs Cost/Performance

KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here

KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream

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