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Memória Flash 3D “BiCS FLASH™”
A KIOXIA oferece produtos baseados em flash para aplicações de armazenamento de última geração. Tendo inventado a memória flash NAND há mais de 35 anos, a KIOXIA é agora um dos maiores fornecedores de memória flash do mundo, e continua a avançar a tecnologia.
A tecnologia KIOXIA está abrindo caminho para o armazenamento de alta capacidade
A memória flash KIOXIA 3D "BiCS FLASH™" é uma inovação revolucionária que atende às necessidades de aplicativos centrados em dados, como smartphones avançados, PCs, SSDs e data centers. Para atender às demandas por alto desempenho, alta densidade e eficiência de custos, otimizamos uma variedade de tecnologias avançadas. Isso inclui a tecnologia CBA (CMOS diretamente ligada à matriz) no processo de front-end e a tecnologia de montagem no processo de back-end.
Tecnologia CBA no processo de front-end
Com a tecnologia CBA, cada wafer CMOS e wafer de matriz de células é fabricado separadamente em sua condição otimizada e, em seguida, unido para fornecer densidade de bits aprimorada e velocidade de E/S NAND rápida. A fabricação da célula e do periférico separadamente permite a otimização de cada um, eliminando a troca entre a confiabilidade da célula e a velocidade de E/S — e oferecendo um grande salto em eficiência energética, desempenho, densidade, economia e sustentabilidade.*1
Entrevista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnologia de montagem no processo de back-end
A KIOXIA desenvolveu uma memória flash de 8TB de alta capacidade montando 32 matrizes de memória flash, cada uma com uma capacidade de 2Tb, em um único pacote. Essa solução de memória foi possível graças aos nossos processos avançados de back-end, incluindo afinamento de pastilhas, design de materiais e tecnologias de ligação de fios.
Entrevista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Tecnologias BiCS FLASH™
Principais recursos*
Alta densidade de armazenamento por matriz do que a memória flash convencional
Desempenho de alta velocidade de leitura/gravação
Maior confiabilidade do que o NAND 2D (mais plano)
Baixo consumo de energia
* Em comparação com a tecnologia planar 2D
Aplicativos de destino
Eficiência do data center
A memória flash 3D BiCS FLASH™ foi projetada para resolver os problemas mais desafiadores do data center:
Princípio da operação da memória flash 3D
O princípio da operação da memória flash 3D é explicado com a animação CG (gerada por computador), contrastando com a forma como o sol brilha (em japonês com legendas em inglês).
A tecnologia de memória flash 3D expansível BiCS FLASH™ da KIOXIA aumenta a capacidade de memória para o nível mais alto já alcançado
Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)
A linha de produtos de memória 3D flash da BiCS FLASH™ (TLC) inclui tecnologia de 3 bits por célula e 4 bits por célula (QLC). A tecnologia QLC expande significativamente a capacidade, aumentando a contagem de bits para dados por célula de memória de três para quatro. Uma capacidade de 4 terabytes (TB) pode ser alcançada em um único pacote usando a tecnologia BiCS FLASH™ QLC em uma arquitetura empilhada de 16 matrizes.
Liderando o caminho para uma maior densidade e eficiência de memória
A KIOXIA foi uma das primeiras empresas do setor a imaginar e se preparar para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e agora de TLC para QLC.
A tecnologia KIOXIA QLC é ideal para aplicações que exigem soluções de armazenamento de alta densidade e baixo custo. O QLC de hoje reduz a área ocupada com a mais alta densidade disponível em um único pacote, permitindo que a solução de armazenamento seja dimensionada.
KIOXIA 35° aniversário da invenção do NAND Flash
- Recursos e melhorias típicas de desempenho de uso em comparação com a geração anterior da memória flash BiCS FLASH™ e 3D TLC.
- Fonte: KIOXIA - Comunicado à imprensa de 3 de julho de 2024
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Saiba mais e Avalie
Understanding 3D Flash Memory - Part 1: Layers & Leadership
Understanding 3D Flash Memory - Part 2: Layers vs Cost/Performance
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here
KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream
Suporte
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
