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Tecnologias inovadoras que abrem caminhos para maior capacidade
As principais melhorias da atual geração de produtos BiCS FLASH™ são sustentadas por diversas inovações tecnológicas revolucionárias. Melhorias na densidade, desempenho e eficiência energética foram alcançadas por meio de avanços nos processos de projeto e montagem de engenharia de memória flash. Explore como o CMOS diretamente ligado à matriz (CBA), ao gate de seleção de passo (OPS) e ao conjunto de memória de 32 matrizes estão oferecendo o futuro da memória flash 3D.
Tecnologia CBA no processo de front-end
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnologia OPS
Tradicionalmente, existiam áreas “fictícias” não utilizadas entre as células de memória, reduzindo a densidade da memória. Com o OPS, essas áreas fictícias desnecessárias são removidas, permitindo que mais células de memória reais sejam colocadas no mesmo espaço. Isso aumenta muito a densidade da memória.
Tecnologia de montagem no processo de back-end
A KIOXIA desenvolveu uma memória flash de 8TB de alta capacidade montando 32 matrizes de memória flash, cada uma com uma capacidade de 2Tb, em um único pacote. Essa solução de memória foi possível graças aos nossos processos avançados de back-end, incluindo afinamento de pastilhas, design de materiais e tecnologias de ligação de fios.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Fundamentos das tecnologias BiCS FLASH™ comuns a todas as gerações
A memória flash 3D BiCS FLASH™ e empilha verticalmente as células de memória, aumentando significativamente a densidade de armazenamento. Essa arquitetura semelhante a um arranha-céu supera os limites da memória flash 2D (planar), que organiza as células em um formato lado a lado. Aumentar a distância entre as células reduz a interferência célula a célula, permitindo melhor densidade, desempenho e eficiência energética em comparação com a memória flash 2D.
Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)
A linha de produtos de memória 3D flash da BiCS FLASH™ (TLC) inclui tecnologia de 3 bits por célula e 4 bits por célula (QLC). A tecnologia QLC expande significativamente a capacidade, aumentando a contagem de bits para dados por célula de memória de três para quatro. Uma capacidade de 4 terabytes (TB) pode ser alcançada em um único pacote usando a tecnologia BiCS FLASH™ QLC em uma arquitetura empilhada de 16 matrizes.
A KIOXIA foi uma das primeiras empresas do setor a imaginar e se preparar para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e agora de TLC para QLC.
A tecnologia KIOXIA QLC é ideal para aplicações que exigem soluções de armazenamento de alta densidade e baixo custo. O QLC de hoje reduz a área ocupada com a mais alta densidade disponível em um único pacote,permitindo que a solução de armazenamento seja dimensionada.
Productos por aplicaciones
Ya sea que se trate de aplicaciones automotrices o PC compactas de alto rendimiento o implementaciones de servidores en la nube y centros de datos de hiperescala, al ofrecer alto rendimiento avanzado, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, confiabilidad y más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y permiten que las tecnologías existentes alcancen su potencial esperado.
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
