Please select your location and preferred language where available.
UFS 4.1/3.1 – A escolha certa para as necessidades de desempenho atuais
Projetado para ser o armazenamento embarcado de escolha para aplicativos móveis, o KIOXIA Universal Flash Storage (UFS) oferece velocidades de leitura/gravação inovadoras, baixo consumo de energia e tempos rápidos de lançamento de aplicativos exigidos por uma ampla gama de produtos digitais.
As soluções UFS 4.1/3.1 da KIOXIA estão em conformidade com o padrão JEDEC® e integram a memória flash 3D BiCS FLASH™ da empresa com um controlador em um encapsulamento que segue o padrão JEDEC.
Usuando uma nova era de tecnologia de armazenamento embarcado, o KIOXIA UFS oferece um salto de inovação em relação aos padrões anteriores de tecnologia flash gerenciada para aplicativos que precisam de velocidades mais rápidas e maior eficiência.
Recursos e benefícios do KIOXIA UFS 4.1
O UFS 4.1 oferece velocidades de transferência de armazenamento embarcado extremamente rápidas, permitindo que smartphones e aplicativos móveis de última geração aproveitem as redes móveis 5G e a IA. O UFS 4.1 incorpora as especificações MIPI® M-PHY® 5.0 High-Speed Gear 5 e UniPro® versão 2.0, e suporta velocidades teóricas de interface de até 23,2 Gbps por pista ou 46,4 Gbps(1) por dispositivo. O UFS 4.1 é compatível com versões anteriores do UFS 3.1 para que as plataformas existentes possam usar a última geração de tecnologia de memória flash usada no UFS 4.1, incorporando todos os recursos do UFS 3.1 existentes.
Principais recursos
- Velocidade de interface serial rápida
- Maior desempenho para leituras e gravações
- Eficiência energética ideal
- Suporte para full duplexing
- Baixa contagem de pinos
- Pacotes BGA de 9x13 mm
- Padrão JEDEC
- 256GB, 512GB, 1TB(2)
Desempenho mais rápido(3)
O desempenho de leitura e gravação sequencial dos dispositivos UFS 4.1 melhorou em aproximadamente 100% e 150%, respectivamente, em relação aos dispositivos UFS 3.1.* A tecnologia WriteBooster é incorporada para aumentar as velocidades de gravação sequencial para downloads mais rápidos, tornar o armazenamento de gravação de vídeo de alta definição mais rápido e acelerar os jogos móveis.
* Dispositivo UFS3.1 de 512GB da Kioxia Corporation “THGJFGT2T85BAIU”
Tamanho pequeno do pacote
O UFS 4.1 suporta um pacote menor de 9 mm x 13 mm, uma redução de 18% no tamanho em comparação com o UFS 3.1 para economia de espaço adicional em aplicativos móveis, tornando os aparelhos ainda menores e mais elegantes.
Recursos do KIOXIA UFS 3.1
- Interface serial
- Leituras/gravações de alta velocidade
- Baixa contagem de pinos
- 128GB, 256GB, 512GB(2)
- Pacote BGA de 11 x 13 mm 153 bolas
- Padrão JEDEC
UFS 4.1 vs. UFS 3.1
A KIOXIA oferece UFS 5.0, UFS 4.1 e UFS 3.1, uma família de memórias flash de alta capacidade com controlador integrado. Essas soluções de memória flash fornecem ECC e outras funções de controle, otimizadas para cada geração de tecnologia de memória flash. O UFS reduz a carga de trabalho do processador host, simplifica o desenvolvimento de produtos, reduz o tempo de lançamento no mercado e aumenta a facilidade de uso em produtos de memória.
Em comparação com o UFS 3.1, o UFS 4.0 oferece:
- Uma interface mais rápida
- Maior desempenho para leituras e gravações
Por que KIOXIA UFS
A KIOXIA continua seu legado de inovação com a introdução de suas soluções de memória flash UFS 5.0, abordando a necessidade de velocidade e eficiência cada vez maiores no armazenamento embarcado moderno. Com base em anos de liderança tecnológica e um histórico de inovações no setor, as soluções KIOXIA UFS 5.0 são projetadas para aplicações exigentes, como IA no dispositivo em smartphones e outros sistemas de computação de alto desempenho.
UFS 5.0 de última geração da KIOXIA
O UFS 5.0 leva a tecnologia de armazenamento embarcado a um novo patamar, oferecendo velocidades de transferência ainda mais rápidas e maior eficiência energética para smartphones, tablets e dispositivos móveis com tecnologia de IA no futuro. Com base nos avanços de seus predecessores, o UFS 5.0 utiliza o MIPI M-PHY versão 6.0 High Speed Gear6 e UniPro versão 3.0, suportando velocidades teóricas de interface de até 10,8 GB/s(1) (10.830 MB/s) por dispositivo. O UFS 5.0 mantém a compatibilidade com o UFS 4.1, garantindo integração perfeita com as plataformas existentes, ao mesmo tempo em que oferece desempenho e suporte aprimorados para as mais recentes inovações em memória flash.
Tecnologia principal KIOXIA UFS 4.1/3.1
Funcionalidade do WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de gravação utilizando a área de dados do usuário existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. O tamanho máximo do buffer SLC pode ser configurado pelo host na configuração do dispositivo e ele pode continuar gravando dados no buffer até que este seja preenchido. Esse recurso é habilitado dinamicamente pelo host durante a operação, dependendo dos requisitos de desempenho do sistema de 5G e outras aplicações.
Suporte à sequência de inicialização de link de alta velocidade (HS-LSS)
Com o UFS convencional, o Link Startup (sequência de inicialização M-PHY e UniPro) entre o dispositivo e o host é realizado em PWM-G1 de baixa velocidade (3~9 Mbps *), mas com HS-LSS, ele pode ser realizado em taxa A HS-G1 mais rápida (1248 Mbps). Espera-se que isso reduza o tempo para a inicialização do link em aproximadamente 70% em comparação com o método convencional.
** Tecnologia-chave apenas do UFS4.1
*** A velocidade de comunicação PWM-G1 depende do produto.
Tecnologia avançada
O KIOXIA UFS utiliza a tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH™ de alto desempenho para otimizá-lo.
Principais aplicações do KIOXIA UFS 4.1/3.1
Notebook / Ultrabook™ / Tablet / PC desktop / PC gamer
Smartphone / Smartwatch / Óculos inteligentes
Console de jogos / Smart TV / Headsets de realidade virtual / Set-Top-Box / Gravador de vídeo digital / Alto-falante inteligente / Casa inteligente / Dispositivos portáteis / Saúde doméstica / Rede doméstica
Automação / Saúde digital / Transporte / Vigilância / Robô / Drone / Segurança / Sinalização digital / Rede (rede de área 5G) / PoS (Ponto de vendas)
Saiba mais e Avalie
Especificação UFS 4.1/3.1
UFS 4.1
*A tabela pode ser rolada horizontalmente.
| Capacidade(2) | Número de peça | UFS Versão |
Taxa máxima de dados (MB/s) |
Tensão de alimentação | Temperatura de operação (℃) |
Tamanho do pacote (mm) (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256GB | THGJFRT1E45BATV | 4.1 | 4640 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (4) | –25 a 85 | 9,0 x 13,0 x 0,8 |
| 512GB | THGJFRT2E48BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1TB | THGJFRT3E88BATW | 9,0 x 13,0 x 0,85 | ||||||
UFS 3.1
*A tabela pode ser rolada horizontalmente.
| Capacidade(2) | Número de peça | UFS Versão |
Taxa máxima de dados (MB/s) |
Tensão de alimentação | Temperatura de operação (℃) |
Tamanho do pacote (mm) (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 128GB | THGJFPT0E18BAIP | 3.1 | 2332 | 2,4 a 2,7 2,7 a 3,6 |
1,14 a 1,26 | - (4) | –25 a 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 256GB | THGJFPT1E28BAIP | |||||||
| 512GB | THGJFPT2E48BAIP | |||||||
Seletor de memória
Selecione a memória certa para o seu aplicativo. A ferramenta Memory Selector o guiará para o melhor produto de memória para suas necessidades. Se você precisa de flash NAND bruto ou produtos de memória gerenciados com um controlador, nós o ajudaremos a encontrar a solução certa.
- A definição de 1 Gbps é calculada como 1.000.000.000 bits/s. A definição de 1 GB/s é calculada como 1.000.000.000 bytes/s e 1MB/s é calculada como 1.000.000 bytes/s. Este é um valor teórico calculado a partir da velocidade da interface e a velocidade do dispositivo de um usuário não é garantida. A velocidade de leitura/gravação pode variar dependendo do sistema host, das condições de leitura/gravação, do tamanho do arquivo, etc.
- A densidade do produto é identificada com base na densidade do(s) chip(s) de memória no produto, não na quantidade de capacidade de memória disponível para armazenamento de dados pelo usuário final. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido a áreas de dados gerais, formatação, blocos defeituosos e outras restrições, e também pode variar com base no dispositivo host e no aplicativo. Para mais detalhes, consulte as especificações aplicáveis do produto. A definição de 1KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. A definição de 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. A definição de 1GB = 2^30 bytes =1.073.741.824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Os números de desempenho são baseados em testes internos. Os resultados reais podem variar dependendo do dispositivo host, padrões de uso e outras condições.
- Este produto suporta operação de fornecimento duplo em VCC e VCCQ. O VCCQ2 não é necessário.
- JEDEC é uma marca registrada da JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® e UniPro® são marcas registradas de propriedade da MIPI Alliance.
- Intel é uma marca comercial da Intel Corporation ou de suas subsidiárias.
Suporte
Entre em contato conosco se tiver dúvidas técnicas, solicitações de materiais, se estiver interessado em amostras ou compras de produtos comerciais (memória, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
