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e-MMC e UFS para consumidor e indústria
Soluções avançadas de memória incorporada: Fortalecendo o presente e o futuro das aplicações industriais e de consumo
Os dispositivos de memória flash embarcada UFS de alta capacidade da KIOXIA integram a memória flash 3D BiCS FLASH e um controlador em um único pacote. O controlador integrado gerencia a correção de erros, o nivelamento de desgaste, a tradução de endereços e o gerenciamento de blocos ruins, facilitando o desenvolvimento do sistema, reduzindo as demandas do processador, acelerando o tempo de lançamento no mercado e melhorando a usabilidade.
Deslumbrante à frente: KIOXIA UFS 5.0 define um novo padrão de velocidade e eficiência móvel
O UFS 5.0 eleva a tecnologia de armazenamento embarcado a um novo patamar, oferecendo velocidades de transferência ainda mais rápidas e maior eficiência energética para smartphones, tablets e dispositivos móveis alimentados por IA no futuro. Com base nos avanços de seus predecessores, o UFS 5.0 utiliza o MIPI® M-PHY® versão 6.0 High Speed Gear6 e UniPro® versão 3.0, suportando velocidades teóricas de interface de até 10,8 GB/s(1) (10.830 MB/s) por dispositivo. O UFS 5.0 mantém a compatibilidade com o UFS 4.1, garantindo integração perfeita com as plataformas existentes, ao mesmo tempo em que oferece desempenho e suporte aprimorados para as mais recentes inovações em memória flash.
Entrevista
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Principais recursos e benefícios do KIOXIA UFS 5.0
Principais recursos
- Interface serial
- Velocidade de interface aprimorada de até 10,8 GB/s por dispositivo(1)
- Último padrão JEDEC®
- Capacidades 512GB, 1TB(2)
- MIPI M-PHY version 6.0 High Speed Gear6
Desempenho impressionante
O UFS 5.0 oferece melhorias significativas de desempenho, com velocidades de leitura e gravação sequencial aumentando em até 123% e 113%, respectivamente, em relação aos dispositivos UFS 4.1.(3)* Este alto desempenho é habilitado pelo Gear6 de alta velocidade, que alcança suas velocidades de interface através de novas tecnologias como PAM-4.
* Dispositivo de 1TB, desempenho no nível do driver vs. UFS 4.1 1TB
Eficiência energética e gerenciamento térmico aprimorados
O UFS 5.0 oferece eficiência energética e gerenciamento térmico aprimorados, reduzindo o consumo de energia ao operar e gerar calor para um desempenho sustentado mais alto em comparação com o UFS 4.1.
UFS 5.0 vs. UFS 4.1
A KIOXIA oferece soluções de memória flash UFS 4.1 e UFS 5.0 mais recentes, cada uma incorporando um controlador integrado e correção avançada de erros. A tecnologia UFS simplifica o projeto do sistema ao descarregar o gerenciamento de armazenamento do processador host e permitir uma integração mais fácil.
O UFS 5.0 apresenta vários aprimoramentos em relação ao UFS 4.1, incluindo:
- Velocidades de interface mais rápidas para maior rendimento de dados
- Melhor desempenho sequencial e aleatório de leitura/gravação
- Maior eficiência energética para suportar dispositivos exigentes de próxima geração
Essas melhorias tornam o UFS 5.0 adequado para dispositivos móveis de ponta que poderão suportar IA no dispositivo devido às velocidades de interface mais rápidas do UFS 5.0.
Por que KIOXIA UFS
A KIOXIA continua seu legado de inovação com a introdução de suas soluções de memória flash UFS 5.0, abordando a necessidade de velocidade e eficiência cada vez maiores no armazenamento embarcado moderno. Com base em anos de liderança tecnológica e um histórico de inovações no setor, as soluções KIOXIA UFS 5.0 são projetadas para aplicações exigentes, como IA no dispositivo em smartphones e outros sistemas de computação de alto desempenho.
UFS 5.0 para aplicativos avançados
O padrão UFS 5.0 oferece saltos significativos nas velocidades de transferência de dados, maior capacidade de resposta e consumo de energia otimizado. Esses recursos se traduzem em experiências perfeitas, permitindo carregamento rápido de aplicativos, downloads de dados ultrarrápidos e multitarefas eficientes para os casos de uso móveis e incorporados mais intensivos.
À medida que os produtos digitais evoluem e exigem maior capacidade de resposta e agilidade, a memória flash KIOXIA UFS 5.0 ajuda os fabricantes a oferecer a próxima onda de experiências inovadoras ao usuário com melhorias de desempenho impressionantes.(3)*
- Leitura sequencial: 10,000 MB/s +123%
- Gravação sequencial(3) 9,000 MB/s +113%
- Leitura aleatória 1.160 KIOPS +71%
- Gravação aleatória(2) 1.020 KIOPS +59%
* Dispositivo de 1TB, desempenho no nível do driver vs. UFS 4.1 1TB
Tecnologia principal KIOXIA UFS
Suporte PAM-4**
PAM-4, ou modulação de amplitude de pulso com 4 níveis, é uma tecnologia que permite que os dispositivos enviem mais informações em cada sinal usando quatro intensidades de sinal distintas em vez de apenas duas. Essa abordagem efetivamente dobra a quantidade de dados que podem ser transmitidos sem a necessidade de conexões ou fios extras. No UFS 5.0, o PAM-4 permite velocidades de transferência de dados muito mais rápidas. Como resultado, os usuários experimentam lançamentos de aplicativos mais rápidos, transferências de arquivos mais rápidas e desempenho mais suave, ajudando os dispositivos a acompanhar as demandas de aplicativos modernos, mídia de alta resolução e multitarefas.
** Tecnologia-chave para HS-Gear6 apenas no UFS5.0
Funcionalidade do WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de gravação utilizando a área de dados do usuário existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. O tamanho máximo do buffer SLC pode ser configurado pelo host na configuração do dispositivo e ele pode continuar gravando dados no buffer até que este seja preenchido. Esse recurso é habilitado dinamicamente pelo host durante a operação, dependendo dos requisitos de desempenho do sistema de 5G e outras aplicações.
Suporte à sequência de inicialização de link de alta velocidade (HS-LSS)
Com o UFS convencional, o Link Startup (sequência de inicialização M-PHY e UniPro) entre o dispositivo e o host é realizado em PWM-G1 de baixa velocidade (3~9 Mbps***), mas com HS-LSS, ele pode ser realizado em taxa A HS-G1 mais rápida (1248 Mbps). Espera-se que isso reduza o tempo para a inicialização do link em aproximadamente 70% em comparação com o método convencional.
*** A velocidade de comunicação PWM-G1 depende do produto.
Tecnologia de memória flash 3D de última geração
O KIOXIA UFS 5.0 utiliza a memória flash 3D BiCS FLASH e introduz outras otimizações do controlador, projetadas para maximizar o rendimento, fornecer latência mais baixa e suportar eficientemente os rigorosos requisitos de dispositivos móveis, automotivos e empresariais modernos.
Principais aplicações do KIOXIA UFS 5.0
Smartphone de ponta/IA no dispositivo
Tablets/PCs de mesa
Jogos
Streaming rápido/armazenamento de console
Saiba mais e Avalie
Especificações do UFS 5.0
*A tabela pode ser rolada horizontalmente.
| Capacidade(2) | Número de peça | UFS Versão |
Taxa máxima de dados (MB/s) |
Tensão de alimentação | Temperatura de operação (℃) |
Tamanho do pacote (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
V CCQ/V CCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10,830 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (4) | –25 a 85 | 7,5 x 13,0 x 0,8 |
| 1TB | THGJFST3E88BATN | 7,5x13,0x0,9 | ||||||
Seletor de memória
Selecione a memória certa para o seu aplicativo. A ferramenta Memory Selector o guiará para o melhor produto de memória para suas necessidades. Se você precisa de flash NAND bruto ou produtos de memória gerenciados com um controlador, nós o ajudaremos a encontrar a solução certa.
UFS 4.1/3.1 e e-MMC
O UFS 4.0/3.1 oferece velocidades de transferência de armazenamento integrado extremamente rápidas, permitindo que smartphones e aplicativos móveis de última geração aproveitem as redes móveis 5G.
La gama de productos e-MMC de KIOXIA ofrece una interfaz compatible con la versión 5.1 de JEDEC, lo que elimina la necesidad de que los usuarios controlen directamente la memoria flash.
- 1 GB/s é calculado como 1.000.000.000bytes/s, e 1MB/s é calculado como 1.000.000bytes/s. Este é um valor teórico calculado a partir da velocidade da interface e a velocidade do dispositivo de um usuário não é garantida. A velocidade de leitura/gravação pode variar dependendo do sistema host, das condições de leitura/gravação, do tamanho do arquivo, etc.
- A densidade do produto é identificada com base na densidade do(s) chip(s) de memória no produto, não na quantidade de capacidade de memória disponível para armazenamento de dados pelo usuário final. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido a áreas de dados gerais, formatação, blocos defeituosos e outras restrições, e também pode variar com base no dispositivo host e no aplicativo. Para mais detalhes, consulte as especificações aplicáveis do produto. A definição de 1KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. A definição de 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. A definição de 1GB = 2^30 bytes =1.073.741.824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Os números de desempenho são baseados em testes internos. Os resultados reais podem variar dependendo do dispositivo host, padrões de uso e outras condições.
- Este produto suporta operação de fornecimento duplo em VCC and VCCQ/VCCQ_M. O VCCQ2 não é necessário.
- JEDEC é uma marca registrada da JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® e UniPro® são marcas registradas de propriedade da MIPI Alliance.
Suporte
Entre em contato conosco se tiver dúvidas técnicas, solicitações de materiais, se estiver interessado em amostras ou compras de produtos comerciais (memória, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
