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Aplicaciones móviles
Los teléfonos inteligentes, tabletas y otros dispositivos móviles exigen una capacidad de almacenamiento significativamente mayor para manejar los tamaños de archivos más grandes asociados con las imágenes y videos de alta resolución necesarios para hacer posibles aplicaciones de próxima generación como las redes 5G. Con el aumento de la capacidad y las ganancias de velocidad logrados con la memoria 3D multicapa, como la tecnología de memoria flash BiCS FLASH™ 3D de KIOXIA, la memoria flash sigue siendo la columna vertebral de almacenamiento para estas aplicaciones móviles.
La evolución de la computación móvil
En un mundo cada vez más móvil, la velocidad ya no solo se mide en millas por hora. Una nueva generación de dispositivos móviles, ya sea transportados en un bolsillo o cartera o montados dentro de un vehículo, requieren capacidades de almacenamiento de alta velocidad para mantenerse al día con las crecientes demandas de los desarrolladores y usuarios de sistemas de consumo, negocios, industriales y automotrices. Impulsadas por las demandas de estas aplicaciones en evolución, tecnologías como el almacenamiento flash universal (UFS), muestreadas por primera vez por KIOXIA* en 2013, están llevando el rendimiento del almacenamiento a un nivel completamente nuevo.
- El negocio de la memoria de Toshiba Corporation fue retirado de Toshiba Corporation y nombrado Toshiba Memory Corporation en abril de 2017, y Toshiba Memory Corporation ha cambiado su nombre a KIOXIA Corporation desde octubre de 2019.
Visión de la computación móvil de KIOXIA
KIOXIA continuará superando los límites de su tecnología de memoria flash BiCS FLASH™ 3D para desarrollar soluciones que proporcionen aumentos significativos en el rendimiento y la capacidad, lo que permitirá que los teléfonos inteligentes de próxima generación y otros dispositivos móviles mejoren sus capacidades y brinden experiencias de usuario final mejoradas.
Soluciones de memoria para computación móvil
Con una velocidad de interfaz de hasta 46,4 Gbps, los dispositivos KIOXIA UFS 4.0 ofrecen hasta el doble de rendimiento que los dispositivos UFS 3.1. Con mayores velocidades y eficiencia energética mejorada, los dispositivos UFS 4.0 ofrecen mejoras de rendimiento para teléfonos inteligentes y aplicaciones móviles de próxima generación.
Con una interfaz de alto rendimiento desarrollada para su uso en aplicaciones en las que es necesario minimizar el consumo de energía, como en dispositivos móviles, UFS ofrece una interfaz serial de alta velocidad y un protocolo optimizado que permite mejoras importantes tanto en el rendimiento como en el rendimiento general del sistema. Estos atributos conducen al desarrollo de una nueva generación de dispositivos que ofrecen un rendimiento rápido y una mayor duración de la batería, ya sea que el usuario final esté tomando fotos, grabando videos, accediendo a indicaciones de manejo, interactuando con amigos y colegas o, en general, accediendo a datos desde el almacenamiento interno.
Si bien UFS ofrece mayor rendimiento y mayor capacidad, la línea e-MMC de KIOXIA es una solución ideal para aplicaciones que requieren menos densidad, como dispositivos de transmisión de medios, altavoces inteligentes, impresoras, dispositivos vestibles, dispositivos IoT y muchas otras aplicaciones.
Aplicaciones móviles
Teléfonos inteligentes
Los teléfonos inteligentes actuales exigen un rendimiento potente y un acceso rápido a aplicaciones y contenido.
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Smartwatch
Estos dispositivos conectados ofrecen la próxima generación de movilidad de contenido y proporcionan acceso instantáneo a una amplia gama de datos a pedido.
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Anteojos inteligentes
Lo siguiente importante en tecnología es que los anteojos inteligentes dependen de la memoria en el dispositivo para admitir aplicaciones virtuales y del mundo real.
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Tecnologías relacionadas
BiCS FLASH™
BiCS FLASH™ de KIOXIA es una estructura de celda de memoria flash vertical tridimensional (3D). Esta estructura le permite superar la capacidad de la memoria flash 2D (planar) convencional. BiCS FLASH™ TLC de KIOXIA de 3 bits por celda, de 1 Tb (128 GB*1), una novedad en la industria*2, mejora la confiabilidad de la resistencia a la escritura/borrado y al mismo tiempo aumenta la velocidad de escritura.
- La densidad del producto se identifica sobre la base de la densidad del chip o los chips de memoria dentro del producto, no de la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos de uso del sistema, el formato, los bloques erróneos y otras limitaciones, y también puede variar en función del dispositivo y la aplicación host. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto aplicables. La definición de 1 Gb = 230 bits = 1 073 741 824 bits. Se define que 1GB = 230 bytes = 1,073,741,824 bytes.
- 12 de junio de 2007, comunicado de prensa
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
