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e-MMC y UFS para consumidores e industriales
Soluciones avanzadas de memoria integrada: Impulsar el presente y el futuro de las aplicaciones industriales y de consumo
Los dispositivos de memoria flash integrada UFS de alta capacidad de KIOXIA integran la memoria flash BiCS FLASH 3D y un controlador en un solo paquete. El controlador integrado gestiona la corrección de errores, la nivelación de desgaste, la traducción de direcciones y la gestión de bloques deficientes, lo que facilita el desarrollo del sistema, reduce las demandas del procesador, acelera el tiempo de comercialización y mejora la facilidad de uso.
Avanzando con fuerza: KIOXIA UFS 5.0 establece un nuevo estándar para la velocidad y eficiencia móviles
UFS 5.0 lleva la tecnología de almacenamiento integrado al siguiente nivel, ofreciendo velocidades de transferencia aún más rápidas y eficiencia energética mejorada para futuros teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos móviles impulsados por IA. Sobre la base de los avances de sus predecesores, UFS 5.0 utiliza MIPI® M-PHY® versión 6.0 High Speed Gear6 y UniPro® versión 3.0, lo que admite velocidades de interfaz teóricas de hasta 10,8 GB/s(1) (10.830 MB/s) por dispositivo. UFS 5.0 mantiene la compatibilidad retroactiva con UFS 4.1, lo que garantiza una integración perfecta con las plataformas existentes y, al mismo tiempo, ofrece un rendimiento mejorado y soporte para las últimas innovaciones en memorias flash.
Entrevista
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Características y beneficios clave de KIOXIA UFS 5.0
Características clave
- Interface serial
- Velocidad de interfaz mejorada de hasta 10,8 GB/s por dispositivo(1)
- Última norma de JEDEC®
- Capacidades 512GB, 1TB(2)
- MIPI M-PHY versión 6.0 Gear6
Desempeño impresionante
UFS 5.0 ofrece mejoras significativas en el rendimiento, con velocidades secuenciales de lectura y escritura que aumentan hasta un 123 % y un 113 %, respectivamente, en comparación con los dispositivos UFS 4.1.(3)* Este alto rendimiento se habilita con el engranaje de alta velocidadGear6, que alcanza sus velocidades de interfaz a través de nuevas tecnologías como PAM-4.
* Dispositivo de 1TB, rendimiento a nivel del controlador frente a UFS 4.1 1TB
Eficiencia energética y administración térmica mejoradas
UFS 5.0 ofrece eficiencia energética y gestión térmica mejoradas, lo que reduce el consumo de energía al operar y la generación de calor para un mayor rendimiento sostenido en comparación con UFS 4.1.
UFS 5.0 frente a UFS 4.1
KIOXIA ofrece tanto UFS 4.1 como las últimas soluciones de memoria flash de alta capacidad UFS 5.0, cada una incorporando un controlador integrado y corrección avanzada de errores. La tecnología UFS simplifica el diseño del sistema al descargar la administración del almacenamiento del procesador host y permitir una integración más sencilla.
UFS 5.0 presenta varias mejoras con respecto a UFS 4.1, que incluyen:
- Velocidades de interfaz más rápidas para un mayor rendimiento de datos
- Rendimiento de lectura/escritura secuencial y aleatoria mejorado
- Mayor eficiencia energética para admitir exigentes dispositivos de próxima generación
Estas mejoras hacen que UFS 5.0 sea adecuado para dispositivos móviles de alta gama que podrán admitir IA en el dispositivo debido a las velocidades de interfaz más rápidas de UFS 5.0.
Por qué KIOXIA UFS
KIOXIA continúa su legado de innovación con la introducción de sus soluciones de memoria flash UFS 5.0, que abordan la necesidad de velocidad y eficiencia cada vez mayores en el almacenamiento integrado moderno. Sobre la base de años de liderazgo tecnológico y un historial de primicias en la industria, las soluciones KIOXIA UFS 5.0 están diseñadas para aplicaciones exigentes, como la IA en el dispositivo en teléfonos inteligentes y otros sistemas informáticos de alto rendimiento.
UFS 5.0 para aplicaciones avanzadas
El estándar UFS 5.0 proporciona saltos significativos en las velocidades de transferencia de datos, mejor capacidad de respuesta y consumo de energía optimizado. Estas características se traducen en experiencias perfectas, lo que permite una carga rápida de aplicaciones, descargas de datos ultrarrápidas y tareas múltiples eficientes para los casos de uso móviles e integrados más intensivos.
A medida que los productos digitales evolucionan y requieren mayor capacidad de respuesta y agilidad, la memoria flash KIOXIA UFS 5.0 ayuda a los fabricantes a ofrecer la próxima ola de experiencias de usuario innovadoras con impresionantes mejoras de rendimiento.(3)*
- Lectura secuencial: 10.000 MB/s +123%
- Escritura secuencial 9.000 MB/s +113%
- Lectura aleatoria 1.160 KIOPS +71 %
- Escritura aleatoria 1.020 KIOPS +59 %
* Dispositivo de 1TB, rendimiento a nivel del controlador frente a UFS 4.1 1TB
Tecnología clave KIOXIA UFS
Soporte de PAM-4**
PAM-4, o Modulación de amplitud de pulso con 4 niveles, es una tecnología que permite a los dispositivos enviar más información en cada señal mediante el uso de cuatro intensidades de señal distintas en lugar de solo dos. Este enfoque duplica eficazmente la cantidad de datos que se pueden transmitir sin necesidad de conexiones o cables adicionales. En UFS 5.0, PAM-4 permite velocidades de transferencia de datos mucho más rápidas. Como resultado, los usuarios experimentan lanzamientos de aplicaciones más rápidos, transferencias de archivos más rápidas y un rendimiento más fluido, lo que ayuda a los dispositivos a mantenerse al día con las demandas de las aplicaciones modernas, los medios de alta resolución y las tareas múltiples.
** Tecnología clave para HS-Gear6 solo en UFS5.0
Funcionalidad de WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de gravação utilizando a área de dados do usuário existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo y el host puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llene. Esta función se habilita dinámicamente durante el funcionamiento por parte del host según los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.
Soporte de secuencia de arranque de enlace de alta velocidad (HS-LSS)
Con UFS convencional, el arranque de enlace (secuencia de inicialización M-PHY y UniPro) entre el dispositivo y el host se realiza a PWM-G1 de baja velocidad (3~9 Mbps***), pero con HS-LSS, se puede realizar a una velocidad de HS-G1 A más rápida (1248 Mbps). Se espera que esto reduzca el tiempo para la puesta en marcha del enlace en aproximadamente un 70% en comparación con el método convencional.
*** La velocidad de comunicación PWM-G1 depende del producto.
Tecnología de memoria flash 3D de última generación
KIOXIA UFS 5.0 utiliza la memoria flash BiCS FLASH 3D de última generación e introduce más optimizaciones de controladores, diseñadas para maximizar el rendimiento, proporcionar una latencia más baja y respaldar de manera eficiente los requisitos rigurosos de los dispositivos móviles, automotrices y empresariales modernos.
Aplicaciones clave de KIOXIA UFS 5.0
Teléfono inteligente de alta gama/IA en el dispositivo
Tabletas/PC de escritorio
Juegos
Rápida transmisión/almacenamiento en consola
Aprenda y evalúe
Especificaciones de UFS 5.0
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad(2) | Número de pieza | UFS Versión |
Datos máx. Tasa (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ/V CCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10.830 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (4) | –25 a 85 | 7,5 x 13,0 x 0,8 |
| 1TB | THGJFST3E88BATN | 7,5 x 13,0 x 0,9 | ||||||
Selector de memoria
Seleccione la memoria correcta para su aplicación. La herramienta Memory Selector lo guiará hacia el mejor producto de memoria para sus necesidades. Ya sea que necesite productos de memoria o flash NAND sin procesar administrados con un controlador, le ayudaremos a encontrar la solución correcta.
UFS 4.1/3.1 y e-MMC
UFS 4.1/3.1 de KIOXIA ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integradas ultrarrápidas que permiten a los teléfonos inteligentes y aplicaciones móviles de próxima generación aprovechar las redes móviles 5G.
La gama de productos e-MMC de KIOXIA ofrece una interfaz compatible con la versión 5.1 de JEDEC, lo que elimina la necesidad de que los usuarios controlen directamente la memoria flash.
- 1 GB/s se calcula como 1 000 000 000 bytes/s y 1MB/s se calcula como 1 000 000 bytes/s. Este es un valor teórico calculado a partir de la velocidad de interfaz y la velocidad del dispositivo de un usuario no está garantizada. La velocidad de lectura y escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y escritura y el tamaño del archivo.
- La densidad del producto se identifica sobre la base de la densidad del chip o los chips de memoria dentro del producto, no de la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos de uso del sistema, el formato, los bloques erróneos y otras limitaciones, y también puede variar en función del dispositivo y la aplicación host. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto aplicables. La definición de 1KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. La definición de 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. Se define que 1GB = 2^30 bytes = 1.073.741.824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Las cifras de rendimiento se basan en pruebas internas. Los resultados reales pueden variar según el dispositivo host, los patrones de uso y otras condiciones.
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC and VCCQ/VCCQ_M. VCCQ2 no es necesario.
- JEDEC es una marca comercial registrada de JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® y UniPro® son marcas comerciales registradas propiedad de MIPI Alliance.
Soporte
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta técnica, solicitud de materiales, está interesado en muestras o compras de productos comerciales (Memoria, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
