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Memoria flash 3D BiCS FLASH™
KIOXIA ofrece productos basados en flash para aplicaciones de almacenamiento de próxima generación. Habiendo inventado la memoria flash NAND hace más de 35 años, KIOXIA es ahora uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo, y continúa haciendo avanzar la tecnología.
La tecnología KIOXIA es líder en el camino hacia el almacenamiento de alta capacidad
La memoria flash KIOXIA 3D “BiCS FLASH™” es una innovación innovadora que satisface las necesidades de las aplicaciones centradas en datos como teléfonos inteligentes avanzados, PC, SSD y centros de datos. Para satisfacer las demandas de alto rendimiento, alta densidad y rentabilidad, hemos optimizado una variedad de tecnologías avanzadas. Estos incluyen la tecnología CBA (CMOS directamente unida a la matriz) en el proceso front-end y la tecnología de ensamblaje en el proceso back-end.
Tecnología de CBA en el proceso front-end
Con la tecnología CBA, cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrica por separado en su condición optimizada y luego se une para proporcionar una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno, eliminando la compensación entre la confiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y brindando un gran salto en la eficiencia energética, el rendimiento, la densidad, la rentabilidad y la sostenibilidad.*1
Entrevista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnología de ensamblaje en el proceso de back-end
KIOXIA desarrolló una memoria flash de 8TB de alta capacidad al ensamblar 32 troqueles de memoria flash, cada uno con una capacidad de 2Tb, en un solo paquete. Esta solución de memoria fue posible gracias a nuestros procesos avanzados de back-end, que incluyen tecnologías de dilución de obleas, diseño de materiales y unión de cables.
Entrevista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Tecnologías BiCS FLASH™
Características clave
Densidad de almacenamiento por chip superior a la de las memorias flash convencionales
Alto rendimiento de velocidad de lectura/escritura
Alta confiabilidad que 2D (planar) NAND
Bajo consumo de energía
* En comparación con la tecnología planar 2D
Aplicaciones de diseño
Eficiencia del centro de datos
La memoria flash BiCS FLASH™ 3D fue diseñada para abordar los problemas más desafiantes del centro de datos:
Principio del funcionamiento de la memoria flash 3D
El principio del funcionamiento de la memoria flash 3D se explica con la animación CG (generada por computadora) contrastándola con la forma en que brilla el sol (en japonés con subtítulos en inglés).
La tecnología de memoria flash 3D escalable BiCS FLASH™ de KIOXIA aumenta la capacidad de memoria al nivel más alto alcanzado hasta el momento
Tecnología TLC (celda de triple nivel) y QLC (celda de cuádruple nivel)
La línea de productos de memoria BiCS FLASHÔ 3D fl. . La tecnología QLC amplía significativamente la capacidad al empujar el recuento de bits para los datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH™ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
Liderar el impulso hacia una mayor densidad y eficiencia de la memoria
KIOXIA fue uno de los primeros actores de la industria en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología KIOXIA QLC es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y menor costo. El QLC actual reduce la huella con la densidad más alta disponible en un solo paquete , lo que permite que la solución de almacenamiento se amplíe.
KIOXIA 35° aniversario de la invención del flash NAND
- Características y mejoras típicas de rendimiento de uso en comparación con la generación anterior de memoria flash BiCS FLASH™ 3D TLC.
- Fuente: KIOXIA - Comunicado de prensa del 3 de julio de 2024
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Aprenda y evalúe
Understanding 3D Flash Memory - Part 1: Layers & Leadership
Understanding 3D Flash Memory - Part 2: Layers vs Cost/Performance
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here
KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream
Soporte
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
