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Memoria flash 3D BiCS FLASH™
KIOXIA ofrece productos basados en flash para aplicaciones de almacenamiento de próxima generación. Habiendo inventado la memoria flash NAND hace más de 35 años, KIOXIA es ahora uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo, y continúa haciendo avanzar la tecnología.
La tecnología de KIOXIA BiCS FLASH™ lidera el camino con innovación arquitectónica innovadora
La memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™ de generación 8 cuenta con 218 capas y tecnología de unión de obleas CMOS directamente unida a matriz (CBA), una innovación arquitectónica que satisface las necesidades de aplicaciones centradas en datos como teléfonos inteligentes avanzados, PC, SSD y centros de datos. Cuando el rendimiento, la alta densidad y la rentabilidad son importantes, la memoria flash BiCS FLASH™ 3D ofrece resultados.
Tecnología de generación 8 de BiCS FLASH™ ¿Por qué CBA?
Con la tecnología CBA, cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrica por separado en su condición optimizada y luego se une para proporcionar una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno, eliminando la compensación entre la confiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y brindando un gran salto en la eficiencia energética, el rendimiento, la densidad, la rentabilidad y la sostenibilidad.*1
Entrevista
La memoria flash 3D de alta densidad que utiliza unión de obleas de alta precisión aporta un nuevo valor al almacenamiento
En los últimos años, los fabricantes de memorias flash se han enfocado principalmente en el desarrollo de tecnologías para aumentar la cantidad de capas de células de memoria y aumentar la densidad de memoria. Cada vez que se lanza una nueva generación de memoria flash, la cantidad de capas aumenta con algunos productos que cuentan con más de 200 capas. Sin embargo, como explicó Atsushi Inoue, vicepresidente de la División de Memoria de KIOXIA, “aumentar las capas de células de memoria es solo una forma de aumentar la capacidad y la densidad de memoria, y no estamos exclusivamente preocupados por la cantidad de capas”.
Tecnologías BiCS FLASH™
Características clave
Densidad de almacenamiento por chip superior a la de las memorias flash convencionales
Alto rendimiento de velocidad de lectura/escritura
Alta confiabilidad que 2D (planar) NAND
Bajo consumo de energía
* En comparación con la tecnología planar 2D
Aplicaciones de diseño
Eficiencia del centro de datos
La memoria flash BiCS FLASH™ 3D fue diseñada para abordar los problemas más desafiantes del centro de datos:
Principio del funcionamiento de la memoria flash 3D
El principio del funcionamiento de la memoria flash 3D se explica con la animación CG (generada por computadora) contrastándola con la forma en que brilla el sol (en japonés con subtítulos en inglés).
La tecnología de memoria flash 3D escalable BiCS FLASH™ de KIOXIA aumenta la capacidad de memoria al nivel más alto alcanzado hasta el momento
Tecnología TLC (celda de triple nivel) y QLC (celda de cuádruple nivel)
La línea de productos de memoria flash 3D BiCS FLASH™ incluye tecnología de 3 bits por celda (TLC) y 4 bits por celda (QLC). La tecnología QLC amplía significativamente la capacidad al empujar el recuento de bits para los datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH™ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
Liderar el impulso hacia una mayor densidad y eficiencia de la memoria
KIOXIA fue uno de los primeros actores de la industria en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología KIOXIA QLC es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y menor costo. El QLC actual reduce la huella con la densidad más alta disponible en un solo paquete , lo que permite que la solución de almacenamiento se amplíe.
KIOXIA 35° aniversario de la invención del flash NAND
- Características y mejoras típicas de rendimiento de uso en comparación con la generación anterior de memoria flash BiCS FLASH™ 3D TLC.
- Fuente: KIOXIA - Comunicado de prensa del 3 de julio de 2024
Productos por aplicaciones
Ya sea que se trate de aplicaciones automotrices o PC compactas de alto rendimiento o implementaciones de servidores en la nube y centros de datos de hiperescala, al ofrecer alto rendimiento avanzado, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, confiabilidad y más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y permiten que las tecnologías existentes alcancen su potencial esperado.
Aprenda y evalúe
Understanding 3D Flash Memory - Part 1: Layers & Leadership
Understanding 3D Flash Memory - Part 2: Layers vs Cost/Performance
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here
KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream
Soporte
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
