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Memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™
Una nueva era de innovación en memorias flash
Habiendo inventado la memoria flash NAND hace más de 35 años, KIOXIA es ahora uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo, y continúa haciendo avanzar la tecnología. El lanzamiento de la memoria flash KIOXIA BiCS FLASH™ 3D en 2007 fortaleció la reputación de la compañía como líder en innovación tecnológica al introducir un revolucionario proceso de apilamiento vertical y escalado lateral para aumentar significativamente las celdas de memoria por unidad de área. El resultado es una arquitectura de memoria flash innovadora que aborda la demanda incesante de una mejor densidad y rendimiento de almacenamiento.
Memoria Flash BiCS FLASH™ 3D – Diseñada específicamente para su aplicación
La memoria flash KIOXIA 3D “BiCS FLASH™” es una innovación innovadora que satisface las necesidades de las aplicaciones centradas en datos como teléfonos inteligentes avanzados, PC, SSD y centros de datos. Para cumplir con las demandas de alta densidad y rendimiento, cada generación de BiCS FLASH™ tomó como base las mejoras y los avances tecnológicos de sus predecesores y está diseñada para abordar casos de uso específicos y consideraciones de planificación de capital. Puede estar seguro de que elegir los productos de memoria flash KIOXIA 3D le ayudará a cumplir con los requisitos de almacenamiento y rendimiento en rápida evolución de las herramientas y aplicaciones tecnológicas modernas.
Todas las generaciones de los productos BiCS FLASH™ apoyan el importante objetivo de Kioxia de ofrecer soluciones tecnológicas sostenibles al mundo.
Migración de BiCS FLASH™ que cubre diversos requisitos con múltiples nodos
- “gen”. representa una generación de BiCS FLASH™
Como se detalla en el diagrama adjunto anterior, KIOXIA proporciona una gama de generaciones de tecnología BiCS FLASH™, cada una diseñada para abordar requisitos específicos de densidad, rendimiento y eficiencia energética. La estrategia de doble eje de KIOXIA, un enfoque comercial y tecnológico que desarrolla dos líneas de memoria flash 3D separadas para satisfacer las diferentes necesidades del mercado, ofrece memoria flash de alto rendimiento para una amplia variedad de aplicaciones.
Las aplicaciones se benefician de la tecnología BiCS FLASH™
Productos con memoria flash 3D BiCS FLASH™ integrada
Memoria
SSD (Unidad de estado sólido)
Selector de memoria
Seleccione la memoria correcta para su aplicación. La herramienta Memory Selector lo guiará hacia el mejor producto de memoria para sus necesidades. Ya sea que necesite productos de memoria o flash NAND sin procesar administrados con un controlador, le ayudaremos a encontrar la solución correcta.
Generación 8 de BiCS FLASH : nueva arquitectura, beneficios inigualables
La generación 8 de BiCS FLASH™ ofrece mejoras significativas al aplicar dos nuevas tecnologías, CMOS directamente unido a la matriz (CBA) y On Pitch Select Gate (OPS), al proceso de producción de memoria flash. En pocas palabras, CBA y OPS son técnicas de fabricación y diseño que impulsan aumentos en la densidad, el rendimiento y la eficiencia energética.
La generación 8 de BiCS FLASH™ es una solución tecnológica ideal para clientes cuyos requisitos de almacenamiento se ven afectados por la explosión de aplicaciones de uso intensivo de datos y capacidades de IA.
Mejoras de la generación 8 de BiCS FLASH™, en comparación con la generación 6
Próximas generaciones de tecnología BiCS FLASH™
BiCS FLASH™ generación 9
Desempeño impresionante y eficiencia energética
La TLC (celda de triple nivel) de 512Gb y 1Tb de generación 9 BiCS FLASH™ está diseñada para admitir aplicaciones que requieren un alto rendimiento y una eficiencia energética excepcional en las capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio. Los productos BiCS FLASH™ de 9.a generación aprovechan las tecnologías existentes de CBA y OPS para mejorar la eficiencia de la producción y ofrecer soluciones de memoria flash de vanguardia.
- La foto muestra dispositivos de memoria TLC de 1Tb.
BiCS FLASH™ generación 10
El futuro de la memoria flash 3D
Los productos de la generación 10 de BiCS FLASH™ aprovechan la misma tecnología CMOS de la generación 9 e incorporaron la expansión en la cantidad de capas de memoria para satisfacer la demanda futura de soluciones de mayor capacidad y alto rendimiento. Con 332 capas líderes en la industria, 1.5 veces más que la generación 8, KIOXIA continúa impulsando avances notables en la densidad de bits de memoria flash y la eficiencia energética.
Tecnologías innovadoras que allanan el camino hacia una mayor capacidad
Las principales mejoras de los productos BiCS FLASH™ de la generación actual se sustentan en varias innovaciones tecnológicas innovadoras. Las mejoras en densidad, rendimiento y eficiencia energética se lograron a través de avances en el diseño de ingeniería de memoria flash y los procesos de ensamblaje. Explore cómo CBA, OPS y el conjunto de memoria de 32 matrices están entregando el futuro de la memoria flash 3D.
Productos por aplicaciones
Ya sea que se trate de aplicaciones automotrices o PC compactas de alto rendimiento o implementaciones de servidores en la nube y centros de datos de hiperescala, al ofrecer alto rendimiento avanzado, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, confiabilidad y más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y permiten que las tecnologías existentes alcancen su potencial esperado.
KIOXIA 35° aniversario de la invención del flash NAND
Aprenda y evalúe
Understanding 3D Flash Memory - Part 1: Layers & Leadership
Understanding 3D Flash Memory - Part 2: Layers vs Cost/Performance
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D Flash Memory – The Next Generation is Here
KIOXIA QLC Accelerates into the Mainstream
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
