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UFS (Almacenamiento Flash Universal) para consumidores e industriales
UFS: Impulsar el rendimiento en aplicaciones exigentes
El almacenamiento flash universal (UFS) de KIOXIA ofrece el rendimiento de lectura/escritura de alta velocidad, el bajo consumo de energía y la reducción de los tiempos de lanzamiento de las aplicaciones que exige una amplia gama de productos digitales de consumo.
UFS tiene una interfaz serial, que reduce la cantidad de pines de lo que simplifica el enrutamiento. También admite la operación dúplex completa, lo que permite la lectura y escritura simultáneas entre el procesador host y el dispositivo UFS. Esto aumenta el rendimiento general del sistema y mejora el rendimiento de los dispositivos móviles.
Las soluciones UFS de KIOXIA cumplen con la versión 2.1/3.0/3.1 de JEDEC/UFS e integran la memoria flash BiCS FLASH™ 3D de la compañía con un controlador en un paquete estándar de JEDEC.
Características clave de KIOXIA UFS (almacenamiento flash universal)
- Interfaz en serie
- Lecturas/escrituras de alta velocidad
- Recuento bajo de pines
- 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB, 1GB
- Paquete BGA de 11 x 13mm y 11,5 x 13mm de 153 bolas
- Estándar de JEDEC
UFS 4.0 (UFS versión 4.0)
UFS 4.0 ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integradas ultrarrápidas que permiten que los teléfonos inteligentes y las aplicaciones móviles de próxima generación aprovechen las redes móviles 5G. UFS 4.0 incorpora MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 y UniPro2.0, y admite velocidades teóricas de interfaz de hasta 23,2 Gbps por carril o 46,4 Gbps por dispositivo. UFS 4.0 es compatible con versiones anteriores de UFS 3.1, por lo que las plataformas existentes pueden utilizar la última generación de tecnología de memoria flash utilizada en UFS 4.0, al tiempo que incorporan todas las características existentes de UFS 3.1.
Rendimiento más rápido
El rendimiento secuencial de lectura y escritura de los dispositivos UFS 4.0 ha mejorado en aproximadamente un 100 y un 95 por ciento, respectivamente, en comparación con los dispositivos de la generación anterior. La tecnología WriteBooster se incorpora para aumentar las velocidades de escritura secuencial para descargas más rápidas, acelerar el almacenamiento de grabación de video de alta definición y acelerar los juegos móviles.
Tamaño de paquete pequeño
UFS 4.0 admite un pequeño paquete de 11 x 13 x 0,8 mm* para ahorrar espacio adicional en aplicaciones móviles, lo que hace que los auriculares sean aún más pequeños y elegantes.
- Disponible en las líneas UFS 4.0 de productos de 128GB y 256GB
Dos tipos de flash administrado por interfaz de bus
KIOXIA ofrece UFS y e-MMC, una familia de las memorias flash de alta capacidad que incluye un controlador integrado. Estas soluciones de memorias flash proporcionan ECC y otras funciones de control, optimizados por KIOXIA para cada generación de tecnología de memorias flash. Las UFS y e-MMC reducen la carga de trabajo del procesador host, simplifican el desarrollo del producto, reducen el plazo de lanzamiento y aumentan la facilidad de uso de los productos de memoria.
Al compararlo con e-MMC, UFS ofrece:
- Una interfaz más rápida
- Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
- Opciones de mayor densidad
- Soporte para dúplex completo
- Mejor eficiencia energética
La función de administración incluye la gestión de bloques defectuosos, la nivelación de desgaste y la recolección de basura
Tecnología clave KIOXIA UFS
Funcionalidad de WriteBooster
WriteBooster mejora el rendimiento de escritura al utilizar el área de datos de usuario existente como un búfer SLC temporal sin sacrificar la capacidad. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo y el host puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llene el búfer.
Esta función se activa dinámicamente durante el funcionamiento por parte del host según los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.
Potenciador del desempeño del host (HPB)
HPB Ver. 2.0 mejora el rendimiento de acceso de lectura aleatoria al almacenar en caché tablas de traducción lógicas a físicas (tabla L2P) desde el dispositivo a la memoria del lado del host, y el host puede iniciar la operación de lectura junto con la tabla L2P para que el dispositivo pueda simplemente leer los datos de la dirección física proporcionada por el host.
Esta función puede mejorar el acceso de lectura aleatoria en direcciones de amplio rango, lo que generalmente resulta en una caída del rendimiento debido a múltiples actualizaciones de tabla en el dispositivo.
Tecnología avanzada
KIOXIA UFS utiliza la tecnología de memoria flash BiCS FLASH™ 3D de alto rendimiento para optimizar el rendimiento.
Rango de densidad y paquete
Los dispositivos UFS están disponibles en densidades de hasta 1TB* en una variedad de tamaños de paquetes. UFS satisface las demandas de las aplicaciones que almacenan grandes cantidades de datos, imágenes y videos.
- a partir de agosto de 2022
Aplicaciones clave de KIOXIA UFS
Computadora portátil / Ultrabook™ / Tableta/ Computadora de escritorio / Computadora de juegos
Teléfono inteligente / reloj inteligente / anteojos inteligentes
Consola de juegos / Smart TV / Auriculares de realidad virtual / Caja de configuración / Grabadora de video digital / Altavoz inteligente / Hogar inteligente / Dispositivos portátiles / Salud en el hogar / Red doméstica
Automatización / Atención médica digital / Transporte / Vigilancia / Robot / Dron / Seguridad / Señalización digital / Redes (red de área 5G) / Punto de venta (Point of Sales, PoS)
Aprenda y evalúe
Especificaciones de UFS
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | UFS Versión |
Datos máx. Tasa (MB/s) |
Voltaje de suministro | Funcionamiento Temperatura (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32 GB | THGAF8G8T23BAIL | 2.1 | 1160 | 2,4 a 2,7 | *1 : | 1,70 a 1,95 | -25 a 85 | 11,5 x 13,0 x 0,8 |
| 64 GB | THGAF8G9T43BAIR | 11,5 x 13,0 x 1,0 | ||||||
| 128 GB | THGJFAT0T44BAIL | 3.1 | 2320 | 2,4 a 2,7 2,4 a 2,7 |
1,70 a 1,95 | *2 : | -25 a 85 | 11,5 x 13,0 x 0,8 |
| 256 GB | THGJFAT1T84BAIR | 11,5 x 13,0 x 1,0 | ||||||
| 256 GB | THGJFGT1E45BAIP | 11,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 512 GB | THGJFAT2T84BAIR | 11,5 x 13,0 x 1,0 | ||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAIU | 11,0 x 13,0 x 1,0 | ||||||
| 1 TB | THGJFHT3TB4BAIG | 11,5 x 13,0 x 1,2 | ||||||
| 128 GB | THGJFJT0E25BAIP | 4.0 | 4640 | 2,4 a 2,7 | 1,70 a 1,95 | *2 : | -25 a 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 256 GB | THGJFJT1E45BATP | 11,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 512 GB | THGJFJT2T85BAT0 | 11,0 x 13,0 x 0,95 | ||||||
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ2. VCCQ No es necesario suministrar.
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ. VCCQ2 No es necesario suministrar.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
