UFS 4.0 – diseñado para almacenamiento móvil de próxima generación

UFS 4.0 ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integradas ultrarrápidas que permiten que los teléfonos inteligentes y las aplicaciones móviles de próxima generación aprovechen las redes móviles 5G. O UFS 4.0 incorpora MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 e UniPro2.0, além de suportar velocidades teóricas de interface de até 23,2 Gbps por pista ou 46,4 Gbps por dispositivo. O UFS 4.0 é compatível com versões anteriores do UFS 3.1 para que as plataformas existentes possam usar a última geração de tecnologia de memória flash usada no UFS 4.0, incorporando todos os recursos do UFS 3.1 existentes.

Características de UFS 4.0

KIOXIA UFS 4.0

Características clave

  • Interface serial
  • Lecturas/escrituras de alta velocidad
  • Recuento bajo de pines
  • 256GB, 512GB, 1TB
  • 9mm x 13mm / paquete BGA de 11mm x 13mm de 153 bolas
Rendimiento de UFS 4.0 con respecto a la generación anterior: +100 % de lectura sec. y +95 % de escritura sec.

Rendimiento más rápido

El rendimiento de lectura y escritura secuencial de los dispositivos UFS 4.0 ha mejorado en aproximadamente un 100 y un 95 por ciento respectivamente, en comparación con los dispositivos de la generación anterior*. La tecnología WriteBooster se incorpora para aumentar las velocidades de escritura secuencial para descargas más rápidas, hacer que el almacenamiento de grabación de video de alta definición sea más rápido y acelerar los juegos móviles.

* Dispositivo de 256GB de la generación anterior de Kioxia Corporation “THGJFGT1E45BAIP”

Comparación del tamaño de UFS 4.0

Tamaño de paquete pequeño

El nuevo UFS 4.0 admite un pequeño paquete de 11 x 13 x 0,8 mm* para ahorrar espacio adicional en aplicaciones móviles, lo que hace que los teléfonos sean aún más pequeños y elegantes.

* part number: THGJFMT1E45BATV, THGJFMT2E46BATV and THGJFMT3E86BATZ

UFS 4,0 frente a UFS 3.1/2.1

KIOXIA ofrece UFS 3.1 y UFS 4.0, una familia de memorias flash de alta capacidad que incluye un controlador integrado. Estas soluciones de memorias flash proporcionan ECC y otras funciones de control, optimizados por KIOXIA para cada generación de tecnología de memorias flash. UFS reduce la carga de trabajo del procesador host, simplifican el desarrollo del producto, reducen el plazo de lanzamiento y aumentan la facilidad de uso de los productos de memoria.

En comparación con UFS 3.1/2.1, UFS 4.0 ofrece:

  • Una interfaz más rápida
  • Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
UFS 4.0 es 10 veces más rápido que e-MMC y 2 veces más rápido que UFS 3.1
UFS 4.0 es 2 veces más rápido que 3.1

Por qué KIOXIA UFS 4.0

Cronograma de publicación de KIOXIA UFS Cronograma de publicación de KIOXIA UFS

KIOXIA está a la vanguardia del desarrollo de UFS en el mercado, impulsando esta nueva tecnología a velocidades más rápidas y una mejor eficiencia energética en comparación con otras soluciones de almacenamiento integradas. KIOXIA fue el primero en entregar muestras de UFS 1.1 en 2013. KIOXIA también fue el primero en entregar muestras de UFS 3.0 en enero de 2019. A KIOXIA tem uma longa história de invenções de memória flash NAND. Com a introdução do mais recente UFS 4.0, a KIOXIA continua a mostrar seu compromisso de criar tecnologias que permitam avanços em um mundo digital em constante mudança.

UFS 4.0 para teléfonos inteligentes y VR/AR

Una mejor experiencia del usuario con UFS 4.0

El estándar UFS 4.0 proporciona grandes mejoras en el rendimiento en comparación con las versiones anteriores. Los teléfonos inteligentes, las consolas de juegos y los dispositivos portátiles de realidad aumentada y virtual se beneficiarán de las velocidades de transferencia más rápidas. Además, el mayor rendimiento de lectura permitirá descargar juegos y aplicaciones mucho más rápido, lo que mejorará la experiencia del usuario. A medida que el mercado se desarrolla más rápido y eficientemente, KIOXIA siempre está lista para el siguiente con nuestro estándar UFS 4.0 a la vanguardia. 

Tecnología clave KIOXIA UFS

Funcionalidad de WriteBooster

O WriteBooster melhora o desempenho de gravação utilizando a área de dados do usuário existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo y el host puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llene. Esta función se habilita dinámicamente durante el funcionamiento por parte del host según los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.

Soporte de Secuencia de Inicio de Enlace de Alta Velocidad (HS-LSS) *1

Con el UFS convencional, el inicio del enlace (secuencia de inicialización M-PHY y UniPro) entre el dispositivo y el host se realiza a PWM-G1 de baja velocidad (3 ~ 9 Mbps * 2), pero con HS-LSS, se puede realizar a una velocidad más rápida HS-G1 Rate A (1248Mbps). Se espera que esto reduzca el tiempo de inicio del enlace en aproximadamente un 70 % en comparación con el método convencional.

  1. THGJFLT1E45BATP, THGJFLT2E46BATP, THGJFLT3E86BATU, THGJFMT1E45BATV, THGJFMT2E46BATV y THGJFMT3E86BATZ admiten esta función.
  2. La velocidad de comunicación PWM-G1 depende del producto.

Tecnología avanzada

KIOXIA UFS utiliza la tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de alto rendimiento para optimizar el rendimiento.

Aplicaciones clave de KIOXIA UFS

Computación del cliente

Computadora portátil/Ultrabook™/Tableta/Computadora de escritorio/Computadora de juegos

Móvil

Teléfono inteligente/reloj inteligente/anteojos inteligentes

Consumidor

Consola de juegos / Smart TV / Auriculares de realidad virtual / Set-Top-Box /Grabadora de video digital / Altavoz inteligente / Hogar inteligente / Dispositivos portátiles / Salud en el hogar / Red doméstica

Industrial

Automatización / Atención médica digital / Transporte / Vigilancia / Robots / Drones / Seguridad / Señalización digital / Redes (red de área 5G) / PoS (punto de venta)

Aprenda y evalúe

Especificaciones de UFS 4.0

*Table can be scrolled horizontally.

Capacity Part Number UFS
Version		 Max Data
Rate
(MB/s)		 Supply Voltage Operating
Temperature
(℃)		 Package Size
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
256GB THGJFJT1E45BATP 4.0 4640 2,4 to 2,7 1,14 to 1,26 -(1) -25 to 85 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFLT1E45BATP 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFMT1E45BATV 9.0x13.0x0.8
512GB THGJFJT2T85BAT0 11.0x13.0x0.95
512GB THGJFLT2E46BATP 11.0x13.0x0.8
512GB THGJFMT2E46BATV 9.0x13.0x0.8
1TB THGJFLT3E86BATU 11.0x13.0x1.0
1TB THGJFMT3E86BATZ 9.0x13.0x0.9
  1. Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ. No es necesario suministrar VCCQ2.

UFS 3.1

UFS 3.1 de KIOXIA ofrece el rendimiento de lectura/escritura de alta velocidad, el bajo consumo de energía y la reducción de los tiempos de lanzamiento de las aplicaciones que exige una amplia gama de productos digitales de consumo.

UFS 3.1

Apoyo

Contacto
Consultas/soporte sobre productos comerciales

Comuníquese con nosotros si tiene alguna pregunta técnica, solicitud de materiales, está interesado en muestras o compras de productos comerciales (chip de memoria, SSD, tarjeta de memoria SD), etc.

Vínculos

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? Abrir en una nueva ventana.

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? Abrir en una nueva ventana.

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? Abrir en una nueva ventana.

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.