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UFS 4.1/3.1 – La elección correcta para las necesidades de desempeño actuales
Diseñado para ser el almacenamiento integrado de elección para aplicaciones móviles, el almacenamiento flash universal (UFS) de KIOXIA ofrece velocidades de lectura/escritura innovadoras, bajo consumo de energía y tiempos rápidos de lanzamiento de aplicaciones exigidos por una amplia gama de productos digitales.
Las soluciones UFS 4.1/3.1 de KIOXIA cumplen con las normas JEDEC® e integran la memoria flash 3D BiCS FLASH™ de la compañía con un controlador en un encapsulado conforme al estándar JEDEC.
KIOXIA UFS marca el comienzo de una nueva era de tecnología de almacenamiento integrado y ofrece un salto de innovación sobre los estándares anteriores de tecnología flash administrada para aplicaciones que necesitan velocidades más rápidas y mayor eficiencia.
Características y beneficios de KIOXIA UFS 4.1
UFS 4.1 ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integrado ultrarrápidas, lo que permite a los teléfonos inteligentes y a las aplicaciones móviles de próxima generación aprovechar las redes móviles 5G y la IA. UFS 4.1 incorpora MIPI® M-PHY® 5.0 High-Speed Gear 5 y UniPro® versión 2.0, y admite velocidades teóricas de interfaz de hasta 23,2 Gbps por carril o 46,4 Gbps(1) por dispositivo. O UFS 4.1 é compatível com versões anteriores do UFS 3.1 para que as plataformas existentes possam usar a última geração de tecnologia d1 memória flash usada no UFS 4.0, incorporando todos os recursos do UFS 3.1 existentes.
Características clave
- Velocidad de interfaz serie rápida
- Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
- Eficiencia energética óptima
- Soporte para dúplex completo
- Recuento bajo de pines
- Paquetes BGA de 9 x 13 mm
- Estándar de JEDEC
- 256GB, 512GB, 1TB(2)
Rendimiento más rápido(3)
El rendimiento secuencial de lectura y escritura de los dispositivos UFS 4.1 ha mejorado en aproximadamente un 100 y un 150 por ciento, respectivamente, en comparación con los dispositivos UFS 3.1.* La tecnología WriteBooster se incorpora para aumentar las velocidades de escritura secuencial para descargas más rápidas, acelerar el almacenamiento de grabación de video de alta definición y acelerar los juegos móviles.
* Dispositivo UFS3.1 de 512GB de Kioxia Corporation “THGJFGT2T85BAIU”
Tamaño de paquete pequeño
El UFS 4.1 admite un paquete más pequeño de 9 mm x 13 mm, una reducción del tamaño del 18 % en comparación con el UFS 3.1 para ahorrar espacio adicional en aplicaciones móviles, lo que hace que los auriculares sean aún más pequeños y elegantes.
Características de KIOXIA UFS 3.1
- Interfaz en serie
- Lecturas/escrituras de alta velocidad
- Recuento bajo de pines
- 128GB, 256GB, 512GB(2)
- Paquete BGA de 11 x 13 mm de 153 bolas
- Estándar de JEDEC
UFS 4.1 frente a UFS 3.1
KIOXIA ofrece UFS 5.0, UFS 4.1 y UFS 3.1, una familia de memorias flash de alta capacidad que incluye un controlador integrado. Estas soluciones de memorias flash proporcionan ECC y otras funciones de control, optimizados por KIOXIA para cada generación de tecnología de memorias flash. UFS reduce la carga de trabajo del procesador host, simplifican el desarrollo del producto, reducen el plazo de lanzamiento y aumentan la facilidad de uso de los productos de memoria.
En comparación con UFS 3.1/, UFS 4.1 ofrece:
- Una interfaz más rápida
- Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
Por qué KIOXIA UFS
KIOXIA continúa su legado de innovación con la introducción de sus soluciones de memoria flash UFS 5.0, abordando la necesidad de velocidad y eficiencia cada vez mayores en el almacenamiento integrado moderno. Sobre la base de años de liderazgo tecnológico y un historial de innovaciones en la industria, las soluciones KIOXIA UFS 5.0 están diseñadas para aplicaciones exigentes, como la IA en el dispositivo en teléfonos inteligentes y otros sistemas informáticos de alto rendimiento.
UFS de última generación de KIOXIA 5.0
UFS 5.0 lleva la tecnología de almacenamiento integrado al siguiente nivel, ofreciendo velocidades de transferencia aún más rápidas y una eficiencia energética mejorada para futuros teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos móviles impulsados por IA. Sobre la base de los avances de sus predecesores, UFS 5.0 utiliza MIPI M-PHY versión 6.0 High Speed Gear6 y UniPro versión 3.0, que admite velocidades de interfaz teóricas de hasta 10,8 GB/s(1) (10.830 MB/s) por dispositivo. UFS 5.0 mantiene la compatibilidad retroactiva con UFS 4.1, lo que garantiza una integración perfecta con las plataformas existentes y, al mismo tiempo, ofrece un rendimiento mejorado y soporte para las últimas innovaciones en memorias flash.
Tecnología clave KIOXIA UFS 4.1/3.1
Funcionalidad de WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de gravação utilizando a área de dados do usuário existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo y el host puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llene. Esta función se habilita dinámicamente durante el funcionamiento por parte del host según los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.
Soporte de secuencia de arranque de enlace de alta velocidad (HS-LSS)
Con UFS convencional, el arranque de enlace (secuencia de inicialización M-PHY y UniPro) entre el dispositivo y el host se realiza a PWM-G1 de baja velocidad (3~9 Mbps***), pero con HS-LSS, se puede realizar a una velocidad de HS-G1 A más rápida (1248 Mbps). Se espera que esto reduzca el tiempo para la puesta en marcha del enlace en aproximadamente un 70 % en comparación con el método convencional.
** Tecnología clave de UFS4.1 únicamente
*** La velocidad de comunicación PWM-G1 depende del producto.
Tecnología avanzada
KIOXIA UFS utiliza la tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de alto rendimiento para optimizar el rendimiento.
Aplicaciones clave de KIOXIA UFS 4.1/3.1
Computadora portátil/Ultrabook™/Tableta/Computadora de escritorio/Computadora de juegos
Teléfono inteligente/reloj inteligente/anteojos inteligentes
Consola de juegos / Smart TV / Auriculares de realidad virtual / Set-Top-Box /Grabadora de video digital / Altavoz inteligente / Hogar inteligente / Dispositivos portátiles / Salud en el hogar / Red doméstica
Automatización / Atención médica digital / Transporte / Vigilancia / Robots / Drones / Seguridad / Señalización digital / Redes (red de área 5G) / PoS (punto de venta)
Aprenda y evalúe
Especificaciones de UFS 4.1/3.1
UFS 4.1
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad(2) | Número de pieza | UFS Versión |
Datos máx. Tasa (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256GB | THGJFRT1E45BATV | 4.1 | 4640 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (4) | –25 a 85 | 9,0 x 13,0 x 0,8 |
| 512GB | THGJFRT2E48BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1TB | THGJFRT3E88BATW | 9,0 x 13,0 x 0,85 | ||||||
UFS 3.1
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad(2) | Número de pieza | UFS Versión |
Datos máx. Tasa (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 128GB | THGJFPT0E18BAIP | 3.1 | 2320 | 2,4 a 2,7 2,7 a 3,6 |
1,14 a 2,6 | - (4) | –25 a 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 256GB | THGJFPT1E28BAIP | |||||||
| 512GB | THGJFPT2E48BAIP | |||||||
Selector de memoria
Seleccione la memoria correcta para su aplicación. La herramienta Memory Selector lo guiará hacia el mejor producto de memoria para sus necesidades. Ya sea que necesite productos de memoria o flash NAND sin procesar administrados con un controlador, le ayudaremos a encontrar la solución correcta.
- La definición de 1 Gbps se calcula como 1 000 000 000 bits/s. La definición de 1 GB/s se calcula como 1 000 000 000 bytes/s, y 1MB/s se calcula como 1 000 000 bytes/s. Este es un valor teórico calculado a partir de la velocidad de interfaz y la velocidad del dispositivo de un usuario no está garantizada. La velocidad de lectura y escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y escritura y el tamaño del archivo.
- La densidad del producto se identifica sobre la base de la densidad del chip o los chips de memoria dentro del producto, no de la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos de uso del sistema, el formato, los bloques erróneos y otras limitaciones, y también puede variar en función del dispositivo y la aplicación host. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto aplicables. La definición de 1KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. La definición de 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. Se define que 1GB = 2^30 bytes = 1.073.741.824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Las cifras de rendimiento se basan en pruebas internas. Los resultados reales pueden variar según el dispositivo host, los patrones de uso y otras condiciones.
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ. VCCQ2 no es necesario.
- JEDEC es una marca comercial registrada de JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® y UniPro® son marcas comerciales registradas propiedad de MIPI Alliance.
- Ultrabook es una marca comercial de Intel Corporation o de sus filiales.
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
