Fator de forma EDSFF E1

A KIOXIA Corporation fornece SSDs NVMe™ de data center PCIe^® 4.0 de última geração com suas séries XD6 e XD7P, projetadas para a especificação Open Compute Project^® (OCP) Datacenter NVMe™ SSD e disponíveis em fatores de forma E1.S. Há uma série de motivos principais pelos quais esses novos SSDs EDSFF E1.S podem permitir que uma arquitetura de servidor de data center se adapte às mudanças, mas os cinco principais suportados pela KIOXIA incluem:

Maior desempenho / maior orçamento de energia em relação aos dispositivos M.2: mais do que dobra o orçamento de energia em relação aos dispositivos M.2, permitindo que os SSDs E1.S saturam o desempenho do PCIe^® Gen4.

Soluções Térmicas Padronizadas: Melhora a interoperabilidade entre fornecedores e plataformas, ao mesmo tempo em que fornecem a flexibilidade para selecionar o equilíbrio certo de resfriamento e densidade de armazenamento por meio de diferentes opções de dissipador de calor E1.S.

Manutenção física aprimorada: melhora muitoa capacidade de manutenção com suporte a hot plug que não exige mais que um servidor inteiro seja desativado para substituir um único SSD.

Projetado para melhor acomodar pacotes de memória flash NAND: o design mais amplo do PCB permite a orientação otimizada dos pacotes de memória flash NAND, proporcionando espaço para unidades de maior capacidade.

Com o suporte dos principais hiperescaladores:{ o Meta™ e a Microsoft^®, autores líderes da especificação OCP Datacenter NVMe™ SSD, estão especificando designs E1.S nas próximas plataformas OCP, o que resultou em adoção em todo o setor.

E1 - Servidores e armazenamento em hiperescala

Tipo	Largura	Comprimento	Espessura (altura)	Potência máxima
E1.S 9,5 mm	31,5 mm	111,49 mm	5,9 mm	12 W
E1.S 8 mm com dissipador de calor	31,5 mm	111,49 mm	8,01 mm	16 W
Gabinete simétrico E1.S de 9,5 mm	33,75 mm	118,75 mm	9,5 mm	20 W
E1.S 15 mm com dissipador de calor assimétrico			15 mm	25 W
E1.S 25 mm com dissipador de calor assimétrico			25 mm	25 W
E1.L 9,5 mm com gabinete simétrico	38,4 mm	318,75 mm	9,5 mm	25 W
E1.L 18 mm com dissipador de calor simétrico	38,4 mm	318,75 mm	18 mm	40 W

Casos de uso do E1.S EDSFF

Os fatores de forma E1.S são adequados para estes casos de uso:

E1.S 9,5 mm

Sistema de destino	Sistemas de pegada pequena
Exemplos	Servidores blade; sistemas de computação e armazenamento de borda; servidores densos e dimensionados
Principal(is) necessidade(s)	Desempenho; Excelentes capacidades térmicas
Uso(s)	Substituição de 2,5 polegadas e M.2
Configuração típica	6 a 12 SSDs E1.S

E1.S 15 mm

Sistema de destino	1U/2U/4U e sistemas para fins especiais
Exemplos	Blades e sistemas de computação; sistemas de armazenamento otimizados para desempenho e capacidade; sistemas de inteligência artificial/Machine Learning (IA/ML) e computação de alto desempenho (HPC); sistemas de borda
Principal(is) necessidade(s)	Desempenho e capacidade escaláveis; desempenho térmico otimizado
Uso(s)	Substituição de 2,5 polegadas e M.2 para boot e armazenamento primário
Configuração típica	2 a 32 SSDs E1.S

E1.S 25 mm

Sistema de destino	Sistemas 2U e maiores
Exemplos	Dispositivos de armazenamento; entrada/saída (E/S) e servidores/bancos de dados ricos em armazenamento; sistemas de armazenamento orientados para o desempenho
Principal(is) necessidade(s)	Escalabilidade de desempenho com capacidade; menor custo por desempenho
Uso(s)	Substituição convencional de 2,5 polegadas
Configuração típica	36 a 64 SSDs E1.S

Ofertas de KIOXIA EDSFF E1

XD6 E1.S

XD7P E1.S

Benefícios do E1

O fator de forma E1 oferece melhor dissipação térmica em comparação com os fatores de forma M.2
Os SSDs E1 permitem armazenamento de maior densidade e melhor gerenciamento térmico em chassis 1U
O fator de forma E1 permite uma maior potência de até 40W em comparação com o M.2

Produto	Fator de forma	Resistência	Interface	Capacidade de armazenamento (GB)	Leitura/gravação sequencial	Leitura/gravação aleatória
XD6	EDSFF E1.S	Leitura intensiva (1 DWDP por 5 anos)	PCIe^® 4.0, NVMe™ 1.3c	1,920 3,840	Até 6.500/2.350 MB/s	Até IOPS DE 880K/90K
XD7P	EDSFF E1.S	Leitura intensiva (1 DWDP por 5 anos)	PCIe^® 4.0, NVMe™ (2.0)	1,920 3,840 7,680	A ser definido	A ser definido