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UFS y e-MMC para automóviles
Requisitos de UFS 3.1 / 2.1 y e-MMC automotriz
- Cumple con IATF16949
- Cumple con los estándares automotrices (por ejemplo, el estándar de calificación de pruebas de esfuerzo AEC-Q100)
- Admite el proceso de aprobación de piezas de producción (Production Part Approval Process, PPAP)
- Rango de temperatura ampliado (por ejemplo, -40°C a +105°C)
- Bajo índice de fallos
- Mayor tiempo de entrega para PCN en comparación con las piezas de grado no automotriz
- Características para la industria automotriz (por ejemplo, mayor confiabilidad de la bola de soldadura, contramedidas si el chip excede cierta temperatura, etc.)
UFS automotriz (1) 3.1 / 2.1
Capacidades disponibles: 32GB, 64GB, 128GB, 256GB y 512GB
e-MMC automotriz
UFS 4.0 de próxima generación para el sector automotriz
Los dispositivos automotrices KIOXIA UFS 4.0 ofrecen capacidades mejoradas para admitir aplicaciones automotrices cada vez más sofisticadas. Con una velocidad de interfaz de hasta 46,4Gbps y una gama de opciones de densidad, los nuevos dispositivos automotrices UFS 4.0 son adecuados para admitir la próxima generación de aplicaciones automotrices complejas.
Cambio de la interfaz de e-MMC (paralela) a UFS (serie)
La tecnología UFS fue desarrollada específicamente para ser el reemplazo de alto rendimiento de la tecnología e-MMC. Se ha convertido en la solución dominante para los teléfonos inteligentes y continúa migrando hacia lo automotriz y otras aplicaciones. A la larga, UFS superará a e-MMC como la solución de almacenamiento dominante para las aplicaciones automotrices.
Tendencia del mercado de UFS
UFS es el reemplazo estándar JEDEC de rendimiento más rápido a e-MMC. El teléfono inteligente adoptó UFS por sus ventajas de rendimiento. El sector automotriz está haciendo lo mismo.
¿Por qué UFS?
En pocas palabras, es el sucesor de e-MMC. El rendimiento de UFS continuará avanzando, ampliando la ya significativa ventaja de rendimiento que tiene sobre e-MMC.
Comparado con e-MMC, UFS ofrece:
- Una interfaz más rápida
- Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
- Ofertas de mayor densidad
- Mejor eficiencia energética
Comparación del tiempo de arranque (salida de datos de 64 MB)
Un tiempo de arranque más rápido con una gran cantidad de datos de arranque es una gran motivación para usar UFS en aplicaciones automotrices.
UFS tiene un tiempo de arranque más rápido que otros dispositivos de almacenamiento gracias a su lectura secuencial de alta velocidad.
Características adicionales aptas para la confiabilidad automotriz
- Control térmico: Control térmico: si el dispositivo excede los 105°C, el dispositivo notifica al procesador host para que tome medidas.
- Diagnóstico extendido: el controlador UFS monitorea varios elementos como ciclos de escritura/borrado, temperatura actual, etc. e informa del estado del dispositivo al procesador host
- Actualizar: permite la actualización de datos deteriorados, lo que mejora la confiabilidad de los datos.
KIOXIA ha abierto el camino de la tecnología UFS desde 2013, cuando fuimos los primeros en probar la tecnología, y seguiremos preparando el camino para las aplicaciones automotrices del futuro.
* A partir del 8 de febrero de 2013. Encuesta de Kioxia.
Especificaciones de UFS 3.1 / 2.1 para automóviles
AEC-Q100 Grado 2(3)
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | UFS Versión |
Velocidad máxima de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (°C) (4) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32GB | THGAFBG8T13BAB7(6) | 2.1 | 1160 | 2,7 a 3,6 | - (7) | 1,70 a 1,95 | -40 to 105 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| THGAFEG8T13BAB7 | ||||||||
| 64GB | THGAFBG9T23BAB8(6) | 11,5 x 13,0 x 1,2 | ||||||
| THGAFEG9T23BAB8 | ||||||||
| 128GB | THGAFBT0T43BAB8(6) | |||||||
| THGAFET0T43BAB8 | ||||||||
| 256GB | THGAFBT1T83BAB5(6) | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
| THGAFET1T83BAB5 | ||||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2,4 a 2,7 2,7 a 3,6 |
1,14 a 2,6 | - (8) | -40 to 105 | 11,5 x 13,0 x 1,2 |
| 128 GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256 GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
AEC-Q100 Grado 3
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | UFS Versión |
Velocidad máxima de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (°C) (5) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAA8 | 3.1 | 2320 | 2,4 a 2,7 2,7 a 3,6 |
1,14 a 2,6 | - (8) | -40 to 85 | 11,5 x 13,0 x 1,2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAA8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAA8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAA5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
Especificaciones de e-MMC automotriz
AEC-Q100 Grado 2
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | e-MMC Versión |
Velocidad máxima de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (°C) (4) |
Tamaño del paquete (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
||||||
| 8GB | THGBMJG6C1LBAC7 | 5.1 | 400 | 2,7 a 3,6 | 1,70 a 1,95 2,7 a 3,6 |
-40 to 105 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| 16GB | THGBMJG7C2LBAC8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 32GB | THGBMJG8C4LBAC8 | ||||||
| 64GB | THGBMJG9C8LBAC8 | ||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAB7 | 1,70 a 1,95 | 11,5 x 13,0 x 1,0 | ||||
| 64GB | THGAMVG9T23BAB8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAB8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAB5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | |||||
AEC-Q100 Grado 3
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | e-MMC Versión |
Velocidad máxima de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Temperatura de Funcionamiento (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| V CC (V) |
V CCQ (V) |
||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAA7 | 5.1 | 400 | 2,7 a 3,6 | 1,70 a 1,95 | -40 to 85 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| 64GB | THGAMVG9T23BAA8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAA8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAA5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | |||||
- Almacenamiento flash universal (UFS) es una categoría de producto para una clase de productos de memoria integrada construidos según la especificación estándar JEDEC UFS.
- e-MMC es una categoría de producto que hace referencia a una clase de productos de memoria integrada construidos según la especificación del estándar JEDEC e-MMC.
- Requisitos de calificación de los componentes eléctricos definidos por el AEC (Automotive Electronics Council).
- Tc = 115 °C máx.
- Tc = 95 °C máx.
- La capacidad máxima de precarga es el 25% de la capacidad del área del usuario.
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ2. No es necesario suministrar VCCQ.
- Este producto admite operaciones de doble suministro a VCC y VCCQ. VCCQ2 No es necesario suministrar.
- En cada mención de un producto Kioxia: La densidad del producto se identifica en función de la densidad de los chips de memoria dentro del Producto, no de la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a áreas de datos generales, formato, bloques defectuosos y otras limitaciones, y también puede variar según el dispositivo host y la aplicación. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto aplicables. La definición de 1KB = 2^10 bytes = 1024 bytes. La definición de 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. La definición de 1GB = 2^30 bytes = 1.073.741.824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
Soporte
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta técnica, solicitud de materiales, está interesado en muestras o compras de productos comerciales (Memoria, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
