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Tecnologías innovadoras que allanan el camino hacia una mayor capacidad
Las principales mejoras de los productos BiCS FLASH™ de la generación actual se sustentan en varias innovaciones tecnológicas innovadoras. Las mejoras en densidad, rendimiento y eficiencia energética se lograron a través de avances en el diseño de ingeniería de memoria flash y los procesos de ensamblaje. Explore cómo CMOS se unió directamente a la matriz (CBA), On Pitch Select Gate (OPS) y el conjunto de memoria de 32 matrices están entregando el futuro de la memoria flash 3D.
Tecnología de CBA en el proceso front-end
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnología OPS
Tradicionalmente, existían áreas “simulas” no utilizadas entre las células de memoria, lo que reduce la densidad de memoria. Con OPS, se eliminan estas áreas simuladas innecesarias, lo que permite que se coloquen más células de memoria reales en el mismo espacio. Esto aumenta en gran medida la densidad de la memoria.
Tecnología de ensamblaje en el proceso de back-end
KIOXIA desarrolló una memoria flash de 8TB de alta capacidad al ensamblar 32 troqueles de memoria flash, cada uno con una capacidad de 2Tb, en un solo paquete. Esta solución de memoria fue posible gracias a nuestros procesos avanzados de back-end, que incluyen tecnologías de dilución de obleas, diseño de materiales y unión de cables.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Fundamentos de las tecnologías BiCS FLASH™ de todas las generaciones
La memoria flash BiCS FLASH™ 3D apila verticalmente las celdas de memoria, lo que aumenta significativamente la densidad de almacenamiento. Esta arquitectura similar a un rascacielos supera los límites de la memoria flash 2D (planar), que organiza las celdas en un formato lado a lado. Aumentar la distancia entre celdas reduce la interferencia entre celdas, lo que permite una mejor densidad, rendimiento y eficiencia energética en comparación con la memoria flash 2D.
Tecnología TLC (celda de triple nivel) y QLC (celda de cuádruple nivel)
La línea de productos de memoria BiCS FLASH™ 3D fl. . La tecnología QLC amplía significativamente la capacidad al empujar el recuento de bits para los datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH™ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
KIOXIA fue uno de los primeros actores de la industria en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología KIOXIA QLC es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y menor costo. El QLC actual reduce la huella con la densidad más alta disponible en un solo paquete, lo que permite que la solución de almacenamiento se amplíe.
Productos por aplicaciones
Ya sea que se trate de aplicaciones automotrices o PC compactas de alto rendimiento o implementaciones de servidores en la nube y centros de datos de hiperescala, al ofrecer alto rendimiento avanzado, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, confiabilidad y más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y permiten que las tecnologías existentes alcancen su potencial esperado.
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
